TK8P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | TK8P60W,RVQ |
---|---|
Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N CH 600V 8A DPAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
2000+ | $1.1354 |
6000+ | $1.0934 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 400µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
Serie | DTMOSIV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 80W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 300 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Ta) |
Grundproduktnummer | TK8P60 |
TK8P60W,RVQ Einzelheiten PDF [English] | TK8P60W,RVQ PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
TOSHIBA TO252
TK8P60V.RVQ TOSHIBA
TOSHIBA TO252
TK8P60V,RVQ(S TOSHIBA
TOSHIBA TO252
TK8P60V,RVQ TOSHIBA
TOSHIBA TO-252
TOSHIBA TO-252
TK8P60W5 TK8P60W TOSHIBA/
TK8P60W,RVQ(S TOSHIBA
TK8P65W TOSHIBA
TOSHIBA TO252
TK8P60V TOS
TK8P60W TOSHIBA
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TOSHIBA TO-252
TOS TO-252-2
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() TK8P60W,RVQToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|